因業(yè)務調(diào)整，部分個人測試暫不接受委托，望見諒。

檢測項目

晶圓檢測體系包含三大核心模塊：表面完整性評估、電學特性驗證及結構參數(shù)測量。表面缺陷檢測聚焦于顆粒污染（Particle Contamination）、機械損傷（如劃痕/凹坑）、化學殘留物（Etching Residue）及圖形畸變（Pattern Distortion）的識別與量化分析；電性測試涵蓋接觸電阻（Contact Resistance）、漏電流（Leakage Current）、擊穿電壓（Breakdown Voltage）及載流子遷移率（Carrier Mobility）等關鍵參數(shù)；薄膜特性測量則包括氧化層厚度（Oxide Thickness）、金屬層階梯覆蓋率（Step Coverage）及介質(zhì)層介電常數(shù)（Dielectric Constant）的精確標定。

檢測范圍

現(xiàn)代晶圓檢測覆蓋8英寸至12英寸主流規(guī)格硅片及化合物半導體襯底（如GaAs/SiC），貫穿前道制程全周期：拋光后基片需進行表面粗糙度（Surface Roughness＜0.2nm RMS）與翹曲度（Bow/Warp＜50μm）驗證；光刻工序后執(zhí)行關鍵尺寸量測（CD-SEM測量線寬偏差±3nm）；離子注入階段通過熱波系統(tǒng)（Thermal Wave）監(jiān)控摻雜濃度均勻性；金屬化工藝后采用X射線熒光光譜（XRF）驗證鍍層成分一致性。

檢測方法

光學顯微術采用深紫外光源（DUV, 波長193nm）配合相襯成像技術實現(xiàn)亞微米級缺陷定位；掃描電子顯微鏡（SEM）通過二次電子成像解析納米級結構形貌；原子力顯微鏡（AFM）以探針接觸式掃描獲取表面三維拓撲數(shù)據(jù)（分辨率0.1nm）；橢偏儀（Ellipsometry）基于偏振光干涉原理計算薄膜光學常數(shù)與厚度；四探針法（Four-Point Probe）通過恒流源施加與電壓降測量推算薄層電阻率；微波光電導衰減（μ-PCD）技術利用載流子壽命反演晶體質(zhì)量。

檢測儀器

科磊半導體量測系統(tǒng)（KLA-Tencor Surfscan SP系列）配置多波長激光散射模塊實現(xiàn)全自動顆粒計數(shù)；日立高新掃描電鏡（Hitachi CG6300）搭載能譜儀（EDS）完成元素成分分析；布魯克原子力顯微鏡（Bruker Dimension Icon）配備峰值力輕敲模式保護敏感樣品；牛津儀器等離子體質(zhì)譜儀（ICP-MS）用于痕量金屬污染檢測（ppb級靈敏度）；應用材料公司光學膜厚儀（Applied Materials NovaScan 3090）集成256點同步測量提升產(chǎn)能；泰瑞達自動化測試機臺（Teradyne UltraFLEX）支持多站點并行電性參數(shù)采集。

檢測流程

1、咨詢：提品資料(說明書、規(guī)格書等)

2、確認檢測用途及項目要求

3、填寫檢測申請表(含公司信息及產(chǎn)品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門取樣/檢測)

5、收到樣品，安排費用后進行樣品檢測

6、檢測出相關數(shù)據(jù)，編寫報告草件，確認信息是否無誤

7、確認完畢后出具報告正式件

8、寄送報告原件