因業(yè)務(wù)調(diào)整，部分個(gè)人測(cè)試暫不接受委托，望見(jiàn)諒。

檢測(cè)項(xiàng)目

純度分析、總金屬雜質(zhì)含量、碳含量、氧含量、氮含量、氯含量、硼濃度、磷濃度、施主雜質(zhì)總量、受主雜質(zhì)總量、電阻率、少子壽命、位錯(cuò)密度、晶粒尺寸、晶體取向偏差率、表面金屬污染度、體缺陷密度、表面粗糙度、密度測(cè)定、熱膨脹系數(shù)、顯微硬度、抗彎強(qiáng)度、顆粒度分布、總有機(jī)碳?xì)埩袅?、氫含量測(cè)定、紫外熒光強(qiáng)度、紅外吸收光譜特征峰強(qiáng)度、X射線衍射半峰寬值、光致發(fā)光譜特征峰位移量、二次離子質(zhì)譜深度分布曲線

檢測(cè)范圍

直拉法單晶硅錠、區(qū)熔法多晶硅棒、流化床法顆粒硅料、冶金法提純硅塊、西門子法棒狀多晶硅片狀多晶硅塊體材料太陽(yáng)能級(jí)多晶硅錠電子級(jí)多晶硅顆粒半導(dǎo)體用高純硅靶材回收硅料再生料鑄錠爐余料切割廢料酸洗后硅粉CVD沉積層外延片拋光片退火樣摻雜樣氧化樣氮化樣離子注入樣擴(kuò)散層樣蝕刻后表面鈍化膜樣封裝前基片組件級(jí)層壓件

檢測(cè)方法

1.輝光放電質(zhì)譜法（GD-MS）：通過(guò)低溫等離子體激發(fā)樣品原子電離，實(shí)現(xiàn)ppb級(jí)痕量元素定量2.傅里葉變換紅外光譜（FTIR）：利用分子振動(dòng)能級(jí)躍遷特征測(cè)定間隙氧/替位碳含量3.四探針電阻率測(cè)試：基于范德堡法原理測(cè)量材料體電阻特性4.微波光電導(dǎo)衰減（μ-PCD）：通過(guò)激光注入載流子測(cè)定少子壽命5.X射線衍射（XRD）：采用θ-2θ掃描模式分析晶體結(jié)構(gòu)完整性6.電感耦合等離子體質(zhì)譜（ICP-MS）：溶液霧化電離技術(shù)測(cè)定金屬雜質(zhì)總量7.二次離子質(zhì)譜（SIMS）：離子束濺射實(shí)現(xiàn)元素三維分布分析8.掃描電子顯微鏡（SEM-EDS）：結(jié)合能譜進(jìn)行表面形貌與成分聯(lián)測(cè)9.低溫霍爾效應(yīng)測(cè)試：液氦環(huán)境下測(cè)定載流子濃度與遷移率10.光致發(fā)光譜（PL）：通過(guò)缺陷態(tài)發(fā)光特征識(shí)別晶體缺陷類型

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

GB/T24582-2021多晶硅表面金屬雜質(zhì)含量的測(cè)定酸浸取-電感耦合等離子體質(zhì)譜法GB/T37049-2018電子級(jí)多晶硅中基體金屬雜質(zhì)含量的測(cè)定輝光放電質(zhì)譜法SEMIPV17-0612太陽(yáng)能級(jí)多晶硅材料規(guī)范ASTMF1724-09(2020)用低溫傅里葉變換紅外光譜法測(cè)量硅中間隙原子氧含量的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法IEC60749-27:2019半導(dǎo)體器件-機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法-第27部分：腐蝕性氣體測(cè)試JISH0605:2021硅單晶中雜質(zhì)濃度的紅外吸收光譜測(cè)定方法ISO14707:2021表面化學(xué)分析-輝光放電發(fā)射光譜法通則GB/T35306-2023多晶硅晶體缺陷密度的測(cè)定X射線衍射法SEMIMF1726-1109用微波光電導(dǎo)衰減法測(cè)量硅片少數(shù)載流子壽命的測(cè)試方法DINEN60749-4:2017半導(dǎo)體器件-機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法-第4部分：強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)

檢測(cè)儀器

1.高分辨率輝光放電質(zhì)譜儀：配備射頻源與雙聚焦分析器，實(shí)現(xiàn)0.01ppb檢出限2.深紫外顯微分光光度計(jì)：采用193nm激發(fā)光源進(jìn)行納米級(jí)表面污染分析3.低溫強(qiáng)磁場(chǎng)霍爾測(cè)試系統(tǒng)：集成15T超導(dǎo)磁體與液氦恒溫器4.全自動(dòng)四探針測(cè)試臺(tái)：配置高溫探針卡座支持RT-300℃范圍測(cè)量5.三維原子探針層析儀（APT）：實(shí)現(xiàn)原子級(jí)空間分辨率成分分析6.飛秒激光時(shí)域反射系統(tǒng)：用于微秒級(jí)載流子動(dòng)力學(xué)過(guò)程監(jiān)測(cè)7.X射線形貌分析儀：采用雙晶單色器獲得高襯度缺陷圖像8.同步輻射X射線熒光光譜儀：實(shí)現(xiàn)ppm級(jí)輕元素定量分析9.超導(dǎo)量子干涉磁強(qiáng)計(jì)（SQUID）：測(cè)量材料磁學(xué)性質(zhì)與缺陷關(guān)聯(lián)性10.俄歇電子能譜儀（AES）：納米級(jí)表面成分深度剖析專用設(shè)備

檢測(cè)流程

1、咨詢：提品資料(說(shuō)明書(shū)、規(guī)格書(shū)等)

2、確認(rèn)檢測(cè)用途及項(xiàng)目要求

3、填寫檢測(cè)申請(qǐng)表(含公司信息及產(chǎn)品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門取樣/檢測(cè))

5、收到樣品，安排費(fèi)用后進(jìn)行樣品檢測(cè)

6、檢測(cè)出相關(guān)數(shù)據(jù)，編寫報(bào)告草件，確認(rèn)信息是否無(wú)誤

7、確認(rèn)完畢后出具報(bào)告正式件

8、寄送報(bào)告原件