因業(yè)務(wù)調(diào)整，部分個(gè)人測(cè)試暫不接受委托，望見諒。

檢測(cè)項(xiàng)目

表面粗糙度、晶格常數(shù)測(cè)定、位錯(cuò)密度分析、厚度均勻性、彎曲度測(cè)量、翹曲度測(cè)試、表面金屬污染、氧含量測(cè)定、碳含量分析、表面顆粒度統(tǒng)計(jì)、晶體取向偏差、電阻率分布、載流子濃度測(cè)試、遷移率測(cè)定、少子壽命測(cè)量、缺陷密度評(píng)估、表面劃痕檢測(cè)、邊緣崩邊分析、化學(xué)腐蝕速率測(cè)試、熱穩(wěn)定性驗(yàn)證、應(yīng)力分布圖譜、介電常數(shù)測(cè)定、紅外透過率測(cè)試、熒光光譜分析、X射線雙晶衍射峰寬測(cè)量、表面氧化層厚度測(cè)試、元素面分布掃描、微區(qū)成分分析、納米壓痕硬度測(cè)試、表面電勢(shì)分布測(cè)繪。

檢測(cè)范圍

單晶砷化鎵拋光片、異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)片、外延生長基片、離子注入處理片、化學(xué)機(jī)械拋光片（CMP）、激光切割加工片、VGF法生長基片、LEC法生長基片、HEMT器件用基板、光伏電池用基板、微波射頻器件基板、LED外延襯底片、紅外探測(cè)器基板、太赫茲器件基板、MEMS傳感器基板、量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)基片、納米線生長襯底片、超晶格結(jié)構(gòu)基板、摻雜濃度梯度測(cè)試片（n型/p型）、退火處理實(shí)驗(yàn)片（快速退火/常規(guī)退火）、光刻膠涂覆測(cè)試片（正膠/負(fù)膠）、金屬蒸鍍實(shí)驗(yàn)片（Au/Ge/Ni）、干法刻蝕工藝驗(yàn)證片（RIE/ICP）、濕法腐蝕工藝驗(yàn)證片（H2SO4系/H3PO4系）、晶圓鍵合界面分析片（直接鍵合/中介層鍵合）、減薄工藝驗(yàn)證片（機(jī)械減薄/化學(xué)減?。⒃偕h(huán)利用測(cè)試片（回收拋光片）、抗輻射加固處理實(shí)驗(yàn)片（γ射線/質(zhì)子輻照）、高溫高濕老化實(shí)驗(yàn)片（85℃/85%RH）、低溫存儲(chǔ)驗(yàn)證片（-196℃液氮環(huán)境）。

檢測(cè)方法

X射線衍射法（XRD）：通過測(cè)量(004)面衍射角計(jì)算晶格常數(shù)偏差值，精度可達(dá)0.0001nm。

原子力顯微鏡（AFM）：采用接觸模式掃描55μm區(qū)域，獲取Ra≤0.2nm的表面粗糙度數(shù)據(jù)。

霍爾效應(yīng)測(cè)試：在0.5T磁場(chǎng)下測(cè)量載流子濃度與遷移率，溫度控制范圍77-300K。

微波光電導(dǎo)衰減（μ-PCD）：利用266nm激光激發(fā)少子壽命測(cè)量，空間分辨率達(dá)10μm。

二次離子質(zhì)譜（SIMS）：采用Cs+離子束濺射進(jìn)行深度剖析，檢出限達(dá)1E12atoms/cm。

激光散射顆粒計(jì)數(shù)器：對(duì)≥0.1μm顆粒進(jìn)行全自動(dòng)統(tǒng)計(jì)分類，符合SEMIM73標(biāo)準(zhǔn)。

傅里葉紅外光譜儀（FTIR）：通過特征吸收峰定量分析氧碳雜質(zhì)含量。

掃描電子顯微鏡（SEM）：配備EDS實(shí)現(xiàn)微區(qū)成分分析及缺陷形貌表征。

四探針電阻率測(cè)試：采用直線四探針法測(cè)量方阻值并計(jì)算電阻率分布。

白光干涉儀：通過相移干涉技術(shù)實(shí)現(xiàn)納米級(jí)三維表面形貌重建。

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

ASTMF42-20《半導(dǎo)體材料載流子濃度測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法》

GB/T35098-2018《半導(dǎo)體材料中氧含量的測(cè)定脈沖加熱惰氣熔融-紅外吸收法》

SEMIM59-1109《硅及化合物半導(dǎo)體晶片的術(shù)語》

ISO14646:2018《精細(xì)陶瓷(高級(jí)陶瓷)-半導(dǎo)體用拋光晶片的表面粗糙度測(cè)量方法》

JISH0605:2015《砷化鎵單晶晶片的試驗(yàn)方法》

ASTMF657-19《半導(dǎo)體晶片彎曲度的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法》

GB/T32281-2015《半導(dǎo)體材料中重金屬元素的測(cè)定電感耦合等離子體質(zhì)譜法》

IEC60749-27:2019《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第27部分：晶圓翹曲度測(cè)量》

SEMIMF397-0318《化合物半導(dǎo)體晶片的位錯(cuò)密度測(cè)試方法》

ASTMF1392-00(2020)《用自動(dòng)非接觸掃描法測(cè)量硅晶片翹曲度的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法》

檢測(cè)儀器

高分辨率X射線衍射儀：配備四軸測(cè)角器與CuKα輻射源（λ=0.15406nm），用于精確測(cè)定晶格參數(shù)與晶體質(zhì)量。

原子力顯微鏡系統(tǒng)：配置硅探針與閉環(huán)掃描器，Z軸分辨率達(dá)0.05nm，支持接觸/輕敲雙模式成像。

低溫霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)：集成液氮杜瓦與電磁鐵系統(tǒng)（0.55T），溫度控制精度0.1K。

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀：配備雙離子槍與延遲提取技術(shù)，質(zhì)量分辨率m/Δm≥15000。

全自動(dòng)晶圓幾何參數(shù)測(cè)量儀：基于激光干涉原理實(shí)現(xiàn)厚度TTV≤1μm的快速測(cè)量。

微波光電導(dǎo)衰減測(cè)試臺(tái)：采用10GHz微波諧振腔與紫外脈沖激光器組合系統(tǒng)。

檢測(cè)流程

1、咨詢：提品資料(說明書、規(guī)格書等)

2、確認(rèn)檢測(cè)用途及項(xiàng)目要求

3、填寫檢測(cè)申請(qǐng)表(含公司信息及產(chǎn)品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門取樣/檢測(cè))

5、收到樣品，安排費(fèi)用后進(jìn)行樣品檢測(cè)

6、檢測(cè)出相關(guān)數(shù)據(jù)，編寫報(bào)告草件，確認(rèn)信息是否無誤

7、確認(rèn)完畢后出具報(bào)告正式件

8、寄送報(bào)告原件