因業(yè)務調(diào)整，部分個人測試暫不接受委托，望見諒。

檢測項目

PL質(zhì)量檢測聚焦于硅片光電特性的量化分析：

• 少子壽命測定：通過載流子復合速率推算少數(shù)載流子壽命
• 缺陷密度評估：識別位錯、層錯等晶體缺陷的空間分布特征
• 雜質(zhì)濃度分析：基于特征峰強度定量測定氧、碳等雜質(zhì)含量
• 表面復合速率計算：評估表面鈍化工藝對器件效率的影響
• 帶隙能量測定：通過光譜位移監(jiān)測材料應力與摻雜水平

檢測范圍

本檢測體系適用于以下硅片類型及應用場景：

檢測方法

標準光致發(fā)光法（SPL）

采用532nm激光源激發(fā)樣品表面：
1.激光功率密度控制在5-20mW/cm
2.樣品溫度維持300K0.5K
3.光譜采集范圍800-1200nm
4.積分時間設定為100-500ms
5.空間分辨率不低于50μm

低溫PL檢測（LT-PL）

• 液氮冷卻至77K環(huán)境操作
• 可解析深能級缺陷特征峰（0.8-1.0eV）
• 需配備真空密閉樣品室（壓力≤10?Pa）

變溫PL分析（VT-PL）

1. 溫度掃描范圍80-400K
2. 升溫速率≤5K/min
3. 同步記錄發(fā)光強度與溫度相關(guān)性曲線
4. 激活能計算采用Arrhenius方程擬合

檢測儀器

PL成像系統(tǒng)核心組件

• 激發(fā)光源模塊:-連續(xù)激光器（波長405/532/785nm）-功率穩(wěn)定性≤1%/4h-光束均勻性＞95%
• 光學采集系統(tǒng):-InGaAs陣列探測器（量子效率＞80%）-光譜分辨率＜2nm-XYZ三維自動樣品臺（重復定位精度1μm）
• 低溫恒溫器:-閉環(huán)氦氣制冷系統(tǒng)-溫度控制精度0.1K-最大樣品尺寸200mm200mm
• 數(shù)據(jù)分析軟件包:-PL強度三維成像功能-多峰高斯擬合算法-ASTMF1535標準數(shù)據(jù)庫比對功能-缺陷自動分類模塊（準確率＞90%）

輔助設備技術(shù)要求

儀器校準規(guī)范

• 波長校準：使用汞氬燈特征譜線（365.02/404.66/546.07nm）
  允許偏差0.3nm@全量程
• 強度校準：采用標準反射板（SRM-2036）進行相對強度校正
  線性度誤差＜1%@動態(tài)范圍10
• 空間標定：使用USAF1951分辨率靶標定成像系統(tǒng)
  最小可分辨線寬≤10μm
• 溫度校準：鉑電阻傳感器（PT100）多點校驗
  溫度梯度＜0.5K/cm@樣品臺面

檢測流程

1、咨詢：提品資料(說明書、規(guī)格書等)

2、確認檢測用途及項目要求

3、填寫檢測申請表(含公司信息及產(chǎn)品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門取樣/檢測)

5、收到樣品，安排費用后進行樣品檢測

6、檢測出相關(guān)數(shù)據(jù)，編寫報告草件，確認信息是否無誤

7、確認完畢后出具報告正式件

8、寄送報告原件