因業(yè)務(wù)調(diào)整，部分個(gè)人測(cè)試暫不接受委托，望見(jiàn)諒。

檢測(cè)項(xiàng)目

成分分析、氧含量測(cè)定、氮含量測(cè)定、氫含量測(cè)定、密度測(cè)試、硬度測(cè)試（維氏/洛氏）、晶粒度測(cè)定、殘余應(yīng)力分析、熱膨脹系數(shù)測(cè)定、導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試、電阻率測(cè)量、表面粗糙度檢測(cè)、微觀孔隙率評(píng)估、晶界腐蝕測(cè)試、濺射速率測(cè)定、膜層結(jié)合力測(cè)試、微觀偏析分析、非金屬夾雜物檢測(cè)、斷口形貌觀察、電子遷移率測(cè)試、熱循環(huán)穩(wěn)定性驗(yàn)證、表面氧化層厚度測(cè)量、元素分布均勻性評(píng)價(jià)、宏觀缺陷篩查（裂紋/氣孔）、微觀組織取向分析（EBSD）、二次離子質(zhì)譜分析（SIMS）、X射線衍射物相鑒定（XRD）、掃描電鏡微觀形貌觀察（SEM）、透射電鏡晶體結(jié)構(gòu)解析（TEM）、電子探針微區(qū)成分分析（EPMA）

檢測(cè)范圍

磁控濺射銅靶材、離子鍍膜銅合金靶材、半導(dǎo)體封裝用Cu-Mn合金靶材、TFT-LCD顯示用Cu-Cr合金靶材、光伏薄膜用Cu-Ga合金靶材、集成電路銅互連阻擋層靶材（Cu-Ta/Cu-Ti）、真空鍍膜平面靶材（圓形/矩形）、旋轉(zhuǎn)管狀濺射靶材（直徑50-500mm）、熱等靜壓成型靶材（HIP）、冷噴涂復(fù)合靶材（Cu-Al/Cu-Ni）、納米晶銅合金靶材（晶粒尺寸≤100nm）、高致密度靶材（≥99.5%TD）、超高純銅錠（6N級(jí)）、粉末冶金燒結(jié)靶材（粒徑≤10μm）、電弧熔煉鑄造靶材（柱狀晶/等軸晶）、多層復(fù)合結(jié)構(gòu)濺射靶材（Cu/Mo/Cu）、梯度功能銅合金靶材（成分梯度≤1%）、單晶銅濺射靶材（取向偏差≤5）、快速凝固薄帶靶材（厚度0.1-2mm）、真空感應(yīng)熔煉鑄錠（直徑≤600mm）、電子束熔煉提純材料（純度≥99.999%）、放電等離子燒結(jié)靶材（SPS工藝）、激光熔覆修復(fù)后處理靶材、化學(xué)氣相沉積復(fù)合層靶材（CVD-Cu）、物理氣相沉積背板結(jié)合體（PVD-Cu/Al?O?）、超細(xì)晶銅合金軋制板材（晶粒尺寸≤5μm）、高溫退火處理靶材（400-800℃）、表面拋光處理靶材（Ra≤0.1μm）、微弧氧化改性層靶材（厚度10-50μm）

檢測(cè)方法

輝光放電質(zhì)譜法（GDMS）用于ppb級(jí)雜質(zhì)元素定量分析；惰性氣體熔融-紅外吸收法測(cè)定氧氮?dú)浜浚话⒒椎屡潘ńY(jié)合真空浸漬技術(shù)測(cè)量真實(shí)密度；納米壓痕法表征微區(qū)硬度分布；電子背散射衍射（EBSD）系統(tǒng)量化晶粒取向差；激光閃射法測(cè)定熱擴(kuò)散系數(shù)；四點(diǎn)探針?lè)y(cè)量電阻率空間分布；白光干涉儀三維重構(gòu)表面形貌；聚焦離子束（FIB）制備TEM樣品分析界面結(jié)構(gòu)；動(dòng)態(tài)二次離子質(zhì)譜深度剖析元素梯度分布；同步輻射X射線斷層掃描三維重建內(nèi)部缺陷；激光超聲技術(shù)在線監(jiān)測(cè)殘余應(yīng)力場(chǎng)；高溫原位XRD研究相變行為；原子探針層析技術(shù)解析原子尺度偏聚現(xiàn)象；飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜（TOF-SIMS）表征表面污染物

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

ASTME1479-16惰性氣體熔融法測(cè)定金屬中氧氮?dú)涞臉?biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法
GB/T4325.1-2013非合金鋼低碳含量的測(cè)定第1部分：紅外吸收法
ISO4499-2:2020硬質(zhì)合金顯微組織的金相測(cè)定第2部分：WC晶粒尺寸測(cè)量
JISH7805:2005用X射線衍射法測(cè)定金屬材料殘余應(yīng)力的方法
ASTMB962-17金屬粉末制品密度測(cè)定的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法
IEC60468:1974金屬材料電阻率測(cè)量方法
GB/T4340.1-2009金屬材料維氏硬度試驗(yàn)第1部分：試驗(yàn)方法
ISO14577-1:2015金屬材料硬度和材料參數(shù)的儀器化壓痕試驗(yàn)
ASTME112-13平均晶粒度測(cè)定的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法
SEMIF47-0709半導(dǎo)體濺射靶材驗(yàn)收規(guī)范

檢測(cè)儀器

輝光放電質(zhì)譜儀（GDMS）實(shí)現(xiàn)10ppt級(jí)雜質(zhì)元素定量；場(chǎng)發(fā)射電子探針顯微分析儀（EPMA）進(jìn)行微米級(jí)元素面分布掃描；激光共聚焦顯微鏡測(cè)量三維表面粗糙度參數(shù)Sa/Sz；動(dòng)態(tài)熱機(jī)械分析儀（DMA）研究高溫蠕變行為；納米力學(xué)測(cè)試系統(tǒng)完成微米尺度硬度/模量映射；X射線熒光光譜儀（XRF）快速篩查主量元素偏差；電感耦合等離子體質(zhì)譜儀（ICP-MS）分析溶液態(tài)微量元素；殘余應(yīng)力分析儀通過(guò)sinψ法計(jì)算應(yīng)力張量；全自動(dòng)密度儀采用浮力法原理精確到0.01g/cm；高溫?zé)崤蛎泝x測(cè)量-150~1600℃范圍內(nèi)CTE變化曲線；超靈敏氣體分析儀實(shí)現(xiàn)0.01ppm級(jí)O/N/H檢測(cè)限；聚焦離子束雙束電鏡（FIB-SEM）進(jìn)行三維重構(gòu)分析；原子力顯微鏡（AFM）表征納米級(jí)表面起伏；同步輻射光源裝置開(kāi)展高分辨原位表征實(shí)驗(yàn)

檢測(cè)流程

1、咨詢(xún)：提品資料(說(shuō)明書(shū)、規(guī)格書(shū)等)

2、確認(rèn)檢測(cè)用途及項(xiàng)目要求

3、填寫(xiě)檢測(cè)申請(qǐng)表(含公司信息及產(chǎn)品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門(mén)取樣/檢測(cè))

5、收到樣品，安排費(fèi)用后進(jìn)行樣品檢測(cè)

6、檢測(cè)出相關(guān)數(shù)據(jù)，編寫(xiě)報(bào)告草件，確認(rèn)信息是否無(wú)誤

7、確認(rèn)完畢后出具報(bào)告正式件

8、寄送報(bào)告原件